Le conseil d'administration de SK hynix Inc., un important fournisseur de mémoire pour centres de données, a aujourd'hui approuvé la construction de deux nouvelles usines.
L'initiative coûtera 54 000 milliards de wons sud-coréens, soit environ 38,3 milliards de dollars. Cela fait partie d'un plan d'investissement plus large de 430 milliards de dollars visant à accroître la capacité de fabrication de SK hynix. Cette initiative, à son tour, fait elle-même partie d’un effort de plusieurs milliards de dollars lancé par le gouvernement sud-coréen pour développer le secteur local des puces. Ce dernier projet inclut également le rival de SK hynix, Samsung Electronics Co.
L'initiative de construction récemment annoncée par SK hynix lui permettra de construire une usine de fabrication de 25 milliards de dollars appelée Yongin Y2. Il s'agit de la deuxième des quatre usines de puces que la société envisage de construire sur le Yongin Semiconductor Cluster, un campus de fabrication situé à environ 32 km au sud de Séoul. La première fab de la série devrait ouvrir ses portes en février prochain.
SK hynix prévoit d'inaugurer les travaux de construction de Yongin Y2 en juillet 2027. La première salle blanche de l'installation, une section d'usine contenant des équipements de fabrication de puces, devrait être mise en service en juin 2029. L'usine aura 279 acres de surface au sol une fois la construction terminée.
Yongin Y2 sera dédié uniquement à la fabrication de DRAM. SK hynix utilisera l'usine pour fabriquer, entre autres produits, des mémoires HBM. Il s'agit de la RAM haute vitesse utilisée par les cartes graphiques pour stocker les modèles d'intelligence artificielle et leurs données.
SK hynix est le plus grand producteur mondial de HBM. Une puce HBM comprend plusieurs couches de RAM empilées les unes sur les autres, un agencement qui permet de déplacer des données vers et depuis la puce AI connectée à grande vitesse.
La société a lancé son dispositif HBM le plus avancé, une puce à 12 couches, en septembre dernier. Il est basé sur une nouvelle version de la technologie appelée HBM4. La norme fournit plus de deux fois la bande passante de la mémoire qui alimente les cartes graphiques actuelles.
La deuxième nouvelle usine que SK hynix prévoit d'ouvrir fera flasher NAND. Il sera construit sur un campus qui héberge déjà trois des usines de puces de l'entreprise. Selon SK hynix, les infrastructures électriques et hydrauliques existantes sur le site accéléreront la construction. L'entreprise prévoit d'ouvrir la première salle blanche de l'usine en décembre 2028.
Plus tôt cette année, SK hynix et son partenaire Sandisk ont introduit une nouvelle technologie flash NAND appelée HBF. Il empile les circuits flash NAND les uns sur les autres d'une manière similaire à HBM. Selon les entreprises, la technologie peut égaler les performances de HBM tout en offrant une capacité jusqu'à 16 fois supérieure.
Samsung, le principal rival de SK hynix sur le marché de la mémoire, développe également des technologies de mémoire verticales.
Aujourd'hui, les modules NAND et HBM sont placés à côté des circuits logiques de la puce hôte. Mercredi, Samsung a fait ses débuts deux nouvelles technologies qui permettent d'empiler la mémoire NAND et HBM directement sur les circuits logiques. Cette disposition réduit la distance entre les composants, ce qui permet aux données de voyager plus rapidement entre eux. Le résultat est une augmentation des vitesses de traitement.
Samsung estime que sa technologie HBM empilable sera huit fois plus rapide que HBM5, une prochaine version de HBM qui devrait être lancée vers la fin de la décennie. La société s'attend également à une multiplication par dix de la densité de la mémoire, une mesure de la capacité d'une puce RAM. Samsung offrira aux clients la possibilité d'optimiser davantage la technologie en ajoutant des composants d'interconnexion personnalisés.
